熱ALD設(shè)備 AL-1無針孔薄膜沉積設(shè)備 返回列表頁

AL-1通過交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量級。此外，可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜?？赏瑫r沉積3片?4英寸的晶片。

主要特點和優(yōu)點

成膜效率高

通過提供幾十毫秒量級的脈沖，減少了原材料的損耗，提高了沉積效率。

真空清潔，溫度不均勻性小

通過緊貼反應(yīng)室內(nèi)壁的內(nèi)壁加熱器，抑制反應(yīng)室的溫度不均勻，可獲得清潔的真空。

無針孔成膜

由于多種前驅(qū)體在反應(yīng)室中沒有混合，因此可以防止顆粒，形成無針孔的薄膜。

應(yīng)用

用于下一代功率器件的柵極氧化膜和鈍化膜。

在3D結(jié)構(gòu)上形成均勻的薄膜，如MEMS。

激光表面的沉積

碳納米管的鈍化膜