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KRI 考夫曼射頻離子源制備富硅SiNx薄膜 詳細(xì)摘要： 云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-05-30 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射多層沉積超導(dǎo)薄膜 詳細(xì)摘要： 國(guó)內(nèi)某大學(xué)采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜. 用這種方法所獲得的超導(dǎo)...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-05-30 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射沉積 NSN70 隔熱膜 詳細(xì)摘要： 某機(jī)構(gòu)采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽(yáng)光控制功能...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-05-30 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源輔助磁控濺射 WS2 薄膜 詳細(xì)摘要： 河南某大學(xué)研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對(duì)磁控濺射 WS2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-05-30 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源 制備 YIG 薄膜 詳細(xì)摘要： 陜西某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220射頻磁控濺射沉積方法在 SrTiO3基片上制備 YIG 薄膜, 研究不同濺射參數(shù)對(duì)薄膜表面形貌、...
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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積鋁錳合金薄膜 詳細(xì)摘要： 華北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助磁控濺射沉積的方法在釹鐵硼磁體表面制備了耐腐蝕性良好的鋁錳合金薄膜.
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考夫曼射頻離子源輔助濺射沉積鐵氧體薄膜 詳細(xì)摘要： 四川某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220輔助磁控濺射沉積方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉積 MnZn 鐵氧體...
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考夫曼射頻離子源輔助磁控濺射制薄膜 詳細(xì)摘要： 為了研究 Ag 元素對(duì) TiSiN 薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響, 江蘇某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射法制備了不同 Ag...
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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 Ir 膜 詳細(xì)摘要： 銥 (Ir) 是一種很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波長(zhǎng)范圍內(nèi), Ir 膜反射率比此波長(zhǎng)范圍內(nèi)常用材料 Au、Pt 都高, 雖比 Os 膜反射率...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-05-30 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 Ti-B-C 薄膜 詳細(xì)摘要： 在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價(jià)鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質(zhì)具有優(yōu)...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 ZrAlN 薄膜 詳細(xì)摘要： 合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌ZrAlN ...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜 詳細(xì)摘要： 硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的核心材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜 詳細(xì)摘要： 立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 ...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于離子束蝕刻系統(tǒng) 詳細(xì)摘要： 上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 ...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用 詳細(xì)摘要： 上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用 詳細(xì)摘要： 上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔應(yīng)用 詳細(xì)摘要： 上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pr...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用 詳細(xì)摘要： 上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時(shí)的...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用 詳細(xì)摘要： 上海伯東美國(guó) KRi 霍爾離子源 EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi 霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2023-04-24 參考價(jià)：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼離子源 KDC 系列伯東代理 詳細(xì)摘要： 上海伯東美國(guó)進(jìn)口考夫曼離子源 KDC 系列, 加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出高質(zhì)量, 穩(wěn)定的電子流.
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2023-03-23 參考價(jià)：¥ 420000 在線留言