KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜

      1064nm 窄帶濾光片是在各類玻璃材質(zhì)表面通過特殊的鍍膜工藝而形成的光學元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長, 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長定位準確、透過高、截止深、溫漂小、耐用性好、光潔度好的特點, 是激光設備應用中常見的濾光片解決方案.

      1064nm 窄帶濾光片使用在各種特殊的場合和惡劣的氣候環(huán)境, 要求濾光片在苛刻的使用條件下有良好的性能, 故膜層的牢固度和技術指標穩(wěn)定性非常重要. 這些性能包括:大口徑面積內(nèi)膜層均勻性好、透射率要求高、膜層牢固度高、中心波長穩(wěn)定性好(零漂移)等. 上海伯東某客戶采用采用光學鍍膜機加裝美國進口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制 1064nm 窄帶濾光片激光膜, 以達到客戶對于高品質(zhì)鍍膜效果的需求.

KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜:

1. 應用方向: 離子清洗, 輔助沉積

2. 鍍膜機型: 1米7 的大型蒸鍍設備, 配置美國 KRi 射頻離子源 RFICP 380

3. 測試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時高溫高濕嚴苛環(huán)境測試

4. 鍍膜材料: Ti305+Si02、Ta205+Si02

5. 應用領域: 激光設備、生化儀、光學測量儀器、酶標儀、生物識別、紅外醫(yī)療儀器、熒光分析儀、醫(yī)療檢測設備等其他生物化學分析儀器

       上海伯東美國進口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制1064nm窄帶濾光片, 沉積過程穩(wěn)定, 加以合理的膜系設計, 可以很好地鍍制出透過率高、截止寬度寬、溫度漂移小、膜層致密度高、使用壽命長的產(chǎn)品.  

       上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術參數(shù):

KRI 射頻離子源其余相關應用：

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用  

KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積立方氮化硼薄膜  

KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備微晶硅薄膜  

KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 Ir 膜 

相關產(chǎn)品:

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 380,滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用. 

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 220  

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 140  

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100  

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 40  

上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

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上海伯東: 羅小姐