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詳細(xì)介紹
為了滿足激光慣性約束核聚變對光學(xué)晶體磷酸二氫鉀（KDP）晶體所需的面形精度、表面質(zhì)量的高要求, 對降低 KDP 晶體表面粗糙度和消除 KDP 晶體表面周期性刀痕, 某廠商采用離子源產(chǎn)生的離子束進(jìn)行KDP晶體的沉積修正拋光.
該廠商采用雙離子源濺射沉積系統(tǒng), 其中一個(gè)離子源采用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對靶材進(jìn)行濺射, 另一個(gè)離子源采用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對樣品進(jìn)行離子刻蝕.
其工作示意圖如下：
用于濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):
射頻離子源型號(hào) | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
推薦理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
用于刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：
離子源型號(hào) | 離子源 KDC 100 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >400 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 12 cm Φ |
離子束 | 平行 |
流量 | 2-20 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.4 cm |
中和器 | 燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
推薦理由：
使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準(zhǔn)確、靈活地對樣品選定的區(qū)域進(jìn)行刻蝕, 可以使大口徑光學(xué)元件 KDP 晶體表面更均勻
運(yùn)行結(jié)果:
1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內(nèi), 刻蝕均勻性在5%以內(nèi)
2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面周期性刀痕
3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達(dá)到了預(yù)期目的
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