化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)
技術(shù)文章
KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜
閱讀：210 發(fā)布時(shí)間：2023-12-7
1064nm 窄帶濾光片是在各類玻璃材質(zhì)表面通過特殊的鍍膜工藝而形成的光學(xué)元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長(zhǎng), 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長(zhǎng)定位準(zhǔn)確、透過高、截止深、溫漂小、耐用性好、光潔度好的特點(diǎn), 是激光設(shè)備應(yīng)用中常見的濾光片解決方案.
1064nm 窄帶濾光片使用在各種特殊的場(chǎng)合和惡劣的氣候環(huán)境, 要求濾光片在苛刻的使用條件下有良好的性能, 故膜層的牢固度和技術(shù)指標(biāo)穩(wěn)定性非常重要. 這些性能包括:大口徑面積內(nèi)膜層均勻性好、透射率要求高、膜層牢固度高、中心波長(zhǎng)穩(wěn)定性好(零漂移)等. 上海伯東某客戶采用采用光學(xué)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制 1064nm 窄帶濾光片激光膜, 以達(dá)到客戶對(duì)于高品質(zhì)鍍膜效果的需求.
KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜:
1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積
2. 鍍膜機(jī)型: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 380
3. 測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試
4. 鍍膜材料: Ti305+Si02、Ta205+Si02
5. 應(yīng)用領(lǐng)域: 激光設(shè)備、生化儀、光學(xué)測(cè)量?jī)x器、酶標(biāo)儀、生物識(shí)別、紅外醫(yī)療儀器、熒光分析儀、醫(yī)療檢測(cè)設(shè)備等其他生物化學(xué)分析儀器
上海伯東美國(guó)進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制1064nm窄帶濾光片, 沉積過程穩(wěn)定, 加以合理的膜系設(shè)計(jì), 可以很好地鍍制出透過率高、截止寬度寬、溫度漂移小、膜層致密度高、使用壽命長(zhǎng)的產(chǎn)品.
上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! 射頻離子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 22 cm Φ | 38 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 or RFN | ||||
KRI 射頻離子源其余相關(guān)應(yīng)用：
KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積立方氮化硼薄膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備微晶硅薄膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 Ir 膜
相關(guān)產(chǎn)品:
美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 380,滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用.
美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 220
美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 140
美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐