詳細(xì)介紹
1.空氣現(xiàn)場硫化氫速測儀XT18-
GDYK-101S
空氣現(xiàn)場硫化氫速測儀XT18-儀器特點:
* 國標(biāo)方法亞甲基蘭法(GB/11742-89)
* 可同時顯示出硫化氫的濃度和吸光度值
* 內(nèi)置充電電池,適用于室內(nèi)和野外現(xiàn)場樣品中游離硫化氫濃度的定量測定
* 采用單片機(jī)控制,具有光譜數(shù)據(jù)處理功能
* 大屏幕液晶中文顯示,單片機(jī)智能控制,人機(jī)交互式操作, 具有測量、設(shè)置、記錄、保存和數(shù)據(jù)統(tǒng)計處理功能
* 化學(xué)試劑包顯色,樣品和試劑用量少,防止并減少了二次污染
* 實時顯示環(huán)境溫度,可設(shè)定顯色時間,便于實驗操作
* 現(xiàn)場比色讀出空氣中硫化氫的含量
* 測定下限:0.01mg/m3
* 測定范圍:0.00-1.00mg/m3
* 測量精度:5%
配置:
* 主機(jī)1臺
* 大氣采樣器1臺
* 樣品前處理器具1套
* 微機(jī)接口和數(shù)據(jù)處理軟件1套
* 試劑一套(100次)
2.四探針程控電動測試架 型號:KDK-KDDJ-2
KDK-KDDJ-2型電動架是使用步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動,采用單板機(jī)可編程控制,操作方便,可隨意調(diào)節(jié)探頭的下降zui低點,上升zui高點固定,探頭在zui高zui低點的停留時間范圍廣(從0-19秒)。硅片硅錠均可測量,普通硅錠測量高度為180mm(可按用戶要求加高),測試臺zui大直徑200mm,不能旋轉(zhuǎn)和移動。
2、使用方法
電機(jī)在電源開關(guān)接通和按停止按鈕后自動上升至zui高點,進(jìn)入備用狀態(tài)。
(1)自動: 按自動按鈕電機(jī)就按設(shè)定自動上升和下降。上升的zui高點是固定不變的,下降的zui低點可以隨意調(diào)節(jié),在zui高和zui低點的停留時間是可調(diào)的。當(dāng)電機(jī)進(jìn)入自動狀態(tài)時按其他功能按鈕均無效,如需停止運行進(jìn)行其它操作,按下停止按鈕1秒即可。
(2)手動: 按一下手動按鈕電機(jī)就下降至當(dāng)前設(shè)定的zui低點,再按一下就上升至zui高點。
注:如需重新設(shè)定zui低點時,設(shè)定結(jié)束后先按停止按鈕再進(jìn)行手動超做。如在剛設(shè)定好zui低點后直接按手動按鈕探頭會下降到導(dǎo)軌的zui低點,(行程開關(guān)接通為止)可能會對被測試物品造成損壞。
(3)定位: 當(dāng)需要重新修改探頭下降的zui低點時,設(shè)備必須在備用狀態(tài)下才可進(jìn)行修改,修改前要先把以前的數(shù)據(jù)清除掉,按定位清0即可。之后按定位按鈕,每按一下探頭就往下移動0.5mm,數(shù)據(jù)自動加1,zui大數(shù)據(jù)約為70-80,到達(dá)導(dǎo)軌的zui低點時行程開關(guān)接通數(shù)據(jù)自動回0,再按定位按鈕無效。探頭下降的zui低點設(shè)定好后按停止按鈕1秒,就可以進(jìn)行自動或手動操作。
(4)定位清0:在需要重新設(shè)定探頭下降zui低點時使用,按下后清除原有數(shù)據(jù)源方便重新設(shè)定。
(5)上延時: 設(shè)定探頭在上升至zui高點時需要停留的時間,先按上延時按鈕功能窗口顯示UP,這時按 調(diào)整到需要時間。時間調(diào)節(jié)范圍從0-19秒,每按一次數(shù)據(jù)自動+或-1(范圍為0-95),對應(yīng)時間約為1≈0.2秒,時間設(shè)定好后再按上延時按鈕確定。
(6)下延時: 設(shè)定探頭在下降至zui低點時探頭需要在被測樣品上的停留時間,先按下延時按鈕功能窗口顯示d∩,這時按 調(diào)整到需要時間。時間調(diào)節(jié)范圍從0-19秒,每按一次數(shù)據(jù)自動+或-1(范圍為0-95),對應(yīng)時間約為1≈0.2秒,時間設(shè)定好后再按下延時按鈕確定。
(7) :設(shè)定探頭在下降至zui低點或探頭在上升至zui高點時的停留時間,每按一次數(shù)據(jù)自動+1(范圍為0-95),大于95時自動回0,對應(yīng)時間約為數(shù)據(jù)1≈0.2秒
(8) :設(shè)定探頭在下降至zui低點或探頭在上升至zui高點時的停留時間,每按一次數(shù)據(jù)自動-1(范圍為0-95),小于0后自動跳到95,對應(yīng)時間約為數(shù)據(jù)1≈0.2秒
3、日常維護(hù)
(1)在測試架的立柱上有一卡環(huán),防止電動測試部件因操作失誤而跌落,保護(hù)探針頭和測試臺面??筛鶕?jù)需要把卡環(huán)緊固在合適的位置。
(2)測試臺可360度旋轉(zhuǎn),通過靠近把手的內(nèi)六角螺絲調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)的松緊。
(3)在設(shè)定探頭下降zui低點時,一般把砝碼頂起1-2mm即可,砝碼zui高可頂起約為8mm,頂起過高可能會卡住探頭引出線。
(4)在電動架上的機(jī)械活動部分需定期加黃油,保證活動順暢。在探針頭上的兩條直線軸承上也需定期加少量潤滑油。
4、主機(jī)技術(shù)能數(shù)
(4)供電電源:
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率:40W
(5)使用環(huán)境:
溫度:23±2℃ 相對濕度:≤65%
無較強(qiáng)的電場干擾,無強(qiáng)光直接照射
(6)重量、體積:
主機(jī)重量:30kg
體積:300×400×400(單位:mm 長度×寬度×高度)
3.紅寶石探針頭系列 型號:KDK-KDT
一、特點
1、 使用幾何尺寸十分精確的紅寶石軸套,確保探針間距的恒定、準(zhǔn)確。
2、 控制寶石內(nèi)孔與探針之間的縫隙不大于6μm,保證探針的小游移率。
3、 采用特制的S型懸臂式彈簧,使每根探針都具有獨立、準(zhǔn)確的壓力。
4、 量具精度的硬質(zhì)合金探針,在寶石導(dǎo)孔內(nèi)穩(wěn)定運動,持久耐磨。
二、用途
1、 測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率,測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、 直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探針…………… 1.00mm
3、 直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 兩探針 …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術(shù)指標(biāo)
1、 游移率
B級…………… <0.5%
*……………<0.3%
A*………… <0.2%
AA*…………<0.1%
2、 間距偏差
B級…………… <3%
*…………… <2%
A*………… <2%
AA*………… <1%
3、 zui大針與導(dǎo)孔間隙:0.006mm
4、 探針材料:硬質(zhì)合金(主成份:進(jìn)口碳化鎢)或高速鋼
5、 探針壓力 標(biāo)準(zhǔn)壓力:6—10N(4根針總壓力)
小壓力:1.2—5N(4根針總壓力)
1牛頓(N)=101.97克
6、 針尖壓痕直徑:25—100μm、100—250μm(簿層)
7、 500V絕緣電阻:>1000MΩ
4.導(dǎo)電型號測試儀 型號:KDK-STY-3
KDK-STY—3型導(dǎo)電型號測試儀是嚴(yán)格按照國標(biāo)GB/T1550-1997和ASTM F42(非本征半導(dǎo)體村料導(dǎo)電類型的標(biāo)準(zhǔn)測試方法)中的熱探針及整流導(dǎo)電類型測試方法設(shè)計的導(dǎo)電類型鑒別儀。
本儀器熱探筆內(nèi)裝有加熱和控溫組件,自動加熱并使溫度維持在50?60℃范圍內(nèi),冷熱探筆在半導(dǎo)體材料上產(chǎn)生的熱電動勢及整流法產(chǎn)生的電勢差經(jīng)低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后,用液晶顯示器件(LCD)及檢流計指示型號方向。儀器靈敏度分高、低兩檔,可判別大部分非本征半導(dǎo)體材料型號(從高阻單晶到重?fù)絾尉В?/p>
二、技術(shù)性能
1、可判別鍺、硅著料的電阻率范圍:
鍺:非本征鍺103~10?4Ω·cm
硅:10+4~10-4Ω·cm
經(jīng)國內(nèi)外實驗證明:在室溫情況下,熱電法對于電阻率低于1000Ω·cm的硅單晶整流法結(jié)果可靠。
2、鍺、硅單晶直徑及長度:不受限制
3、顯示方式:由顯示N和P的液晶器件直接指示,同時中心刻度為零位檢流計也在指示型號,指針向左偏轉(zhuǎn)被測樣品為N型,指針向右偏轉(zhuǎn)被測樣品為P型。
5、探針:先用ASTM F42標(biāo)準(zhǔn)中建議的不銹鋼作冷熱探針材料,針尖為60℃錐體,熱筆溫度自動保持在50?60℃范圍內(nèi),冷筆與室溫相同。整流法行選用硬質(zhì)合金作探針。
6、電源及功耗:AC 220V±10%,50HZ交流供電,zui大功耗(熱筆加熱狀態(tài))小于40W,平均功耗≈10W。
7、外型尺寸:370×320×110(mm)
8、重量:約 4 kg
5.導(dǎo)電型號測試儀 型號:KDK-STY-2
本儀器運用了第四代集成電路設(shè)計、生產(chǎn)。儀器采用熱電法測量硅單晶型號,配置了可自動恒溫的熱探筆,并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。
對于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊都可以準(zhǔn)確地鑒定出導(dǎo)電型號。
使用方法:
1、插好背板上的電源線,并與~220V插座相接;將熱筆、冷筆與面板上4芯、3芯插座相接。
2、打開儀器面板左下角的電源開關(guān),電源指示燈及熱筆加熱燈亮。10分鐘左右熱筆達(dá)到工作溫度時,保溫(綠)燈亮,即可進(jìn)行型號測量。熱探筆隨后自動進(jìn)入保溫→加熱→保溫→…循環(huán),溫度保持在40-60℃(國標(biāo)及標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的溫度)。
3、先將熱筆在被測單晶面上放穩(wěn),后將冷筆點壓在單晶上,液晶顯示器即顯示型號(N或P)。
4、測量電阻率較高的單晶時,請將N型調(diào)零電位器P型調(diào)零電位器調(diào)近臨界點(逆時針旋轉(zhuǎn)),以便提高儀器的測量靈敏度。
5、在P型、N型顯示不穩(wěn)定時,以多次能重復(fù)的測量結(jié)果為準(zhǔn)。
6、測量時握筆的手不要與被測單晶接觸,以免人體感應(yīng)影響測量結(jié)果。
詳細(xì)說明導(dǎo)電型號測試儀.doc